离子注入采用7°角是离子注入工艺非常经典且重要的问题；那为什么要采用7°的倾斜角进行注入，最主要的原因就是在离子注入过程中避免一种称为“沟道效应”（Channeling Effect） 的现象。
什么是“沟道效应”？
硅晶体是由原子按高度有序的晶格排列而成的。从某些特定的晶向（例如或或，取决于晶圆类型）看过去，原子之间的空隙会形成一条条畅通无阻的“通道”。
如果离子以 0°角（即垂直于晶圆表面）注入：这个时候就会有一部分高能离子可能会幸运地直接射入这些“通道”中。这就会导致这些离子在通道中穿行时，几乎不会与硅原子发生碰撞，因此受到的阻力极小，能量损失很慢。这会导致它们注入得异常深，远远超过预定的结深。这会导致我们的芯片的性能偏离我们设计的性能，严重时会导致芯片的报废或可靠性出问题。
简单介绍硅晶体结构
如图是硅晶体的经典结构，主要由两套面心立方晶格沿着对角线相互移动1/4对角线长度套构而成；形成一个硅原子和周围其他四个硅原子相互连接形成四个共价键。
以下就是硅原子几个主要晶向分布
1、晶向；主要原子排列顺序为对应立方体的棱边方向，原子排列成正方形网格，这种晶向的特点是表面能较低，生长速度快，是硅晶生长的主要方向。
2、晶向；主要原子排列顺序为对应立方体对角线方向，原子排列成矩形形状，这种晶向的特点是电子迁移率相对较高，原子排列相对紧密，电子受到的阻碍相对较少。
3、晶向；主要原子排列顺序为立方体对角线方向，原子排列顺序为正三角形堆积，这种晶向的特点是表面能相对较低，结构的对称性好，原子的密度最高。
这三种晶格方向有着不一样的物理性能，所以他们的应用场景也不相同；一般晶向主要应用在集成电路比如CPU、GPU、DRAM等等；晶向主要应用在双极性晶体管（BJT）和功率半导体（MOSFET）等等领域；晶向主要应用在功率半导体器件（IGBT）中等等。
离子注入采用7°角注入可以有效抑制沟道效应，同时兼顾工艺的其他要求，具体如下：有效抑制沟道效应：当离子注入方向与晶圆晶向平行时，会产生沟道效应，导致离子注入深度难以控制，浓度分布不符合要求。将离子入射方向与晶圆表面法线成7°角，能使离子注入方向偏离沟道轴向，增加离子与晶圆内部原子的碰撞概率，打乱离子路径，有效抑制沟道效应，使离子浓度分布更可控。
为什么离子注入不采用其他的角度注入？
1、减少横向效应：垂直注入会造成横向效应，即离子在注入过程中除了纵向扩散外，还会在水平方向上发生扩散，导致注入区域不准确。7°的倾斜角度可在一定程度上减少这种横向扩散，使离子更精准地注入到目标区域，提高注入的精度。
2、避免阴影区过大：如果倾角过大，带胶注入时，离子会被光刻胶部分遮挡，形成较大的阴影区，导致实际注入区域与设计区域出现偏差。7°角能在抑制沟道效应的同时，将阴影区控制在较小范围内，保证注入的准确性和均匀性。
总的来说，在半导体离子注入工艺采用7°角工艺进行是经过无数工程师辛苦实验得出的最好角度，目前也是行业中最常用的方法。